影響錫須生長的因素很多，主要包括應力、金屬間化合物、鍍層晶粒大小與取向、基體材料、鍍層厚度、溫度及環境、電鍍工藝、合金元素、輻射等。錫須成長簡單來說就是一種應力釋放的現象。就現在的研究結果來看，應力的形式簡單可以分為三種應力類型：機械應力、熱應力、化學應力；其中化學應力是造成錫須自發性成長的最重要原因。

JYT 010-1996 分析型掃描電子顯微鏡方法通則
JESD 22A121.01 Test Method for Measuring Whisker Growth on Tin and Tin Alloy Surface Finishes
JESD201A Environmental Acceptance Requirements for Tin Whisker Susceptibility of Tin and Tin Alloy Surface Finishes
IEC 60068-2-82-2009 Environmental testing - Part 2-82: Whisker test methods for electronic and electric components

錫須是在純錫或錫合金鍍層表面自發生長出來的一種細長形狀的錫的結晶。過長的錫須會造成線路短路，會導致產品功能的失效。由于錫須通常在電鍍之后幾年甚至幾十年才開始生長，需在SEM下觀察印制板經過不同環境實驗處理（高溫高濕、高溫存儲、溫度循環等）加速錫須生長，觀察錫須的形狀和長度。健明迪檢測開展錫須觀察測量服務，為產品失效分析提供技術支持。

錫須觀察是通過環境試驗進行加速模擬，目前做得最多的方法是以下幾種：
1，高溫高濕時錫須生長曲線
2，冷熱沖擊時錫須生長曲線
3，室溫時錫須生長曲線
4，施加縱向壓力時錫須生長曲線